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MJD45H11T4G 特點(diǎn)

MJD45H11T4G，采用DPAK/-55~150封裝方式。
類型:PNP
集電極－發(fā)射集最小雪崩電壓VCEO(V):80
集電極最大電流IC(Max)(A):8
直流電流增益hFE最小值(dB):40
直流電流增益hFE最大值(dB):－
最小電流增益帶寬乘積Ft(MHz):50
總功耗PD(W):20
封裝/溫度(℃):DPAK/-55~150


變頻器通用型號器件：
安森美功率晶體管：D45VH10G、D44VH10G、D45VH11G  D44VH11G 
MJD44H11T4G、MJD45H11T4G MBRD340T4G  UC2844BD1R2G優(yōu)勢價(jià)格??！