深圳市中冀聯(lián)合通訊技術(shù)有限公司

BSBY_f009

【中冀聯(lián)合 】深圳中冀聯(lián)合科技股份有限公司近年來(lái)不斷增加研發(fā)投入以產(chǎn)學(xué)研為研發(fā)主體，中冀聯(lián)合研發(fā)來(lái)自通訊衛(wèi)星導(dǎo)航界專家，以博士后為科研帶頭人，碩士生為研發(fā)主體的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，先后與國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)，桂林電子科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)外知名院校合作。
 

　　屏蔽箱與各位分享：高飽和磁導(dǎo)率材料的磁導(dǎo)率在80000-350000之間，經(jīng)熱處理后其飽和場(chǎng)可達(dá)7500Gs 中磁導(dǎo)率材料通常和高導(dǎo)材料一起使用，其磁導(dǎo)率值從12500-150000，飽和場(chǎng)15500Gs 高飽和場(chǎng)的磁導(dǎo)率值為200-50000，飽和場(chǎng)可達(dá)18000-21000Gs。

　　以下是一些常用量的定義：

　　Gs：磁通密度的單位，相當(dāng)于每平方厘米面積上有一條磁力線通過(guò)。

　　磁通量：由磁場(chǎng)產(chǎn)生的所有磁力線的總和。

　　飽和磁場(chǎng)：即材料磁感應(yīng)強(qiáng)度漸趨于一恒定值時(shí)對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)。

　　B：屏蔽體中的磁通密度，單位Gs。

　　d：屏蔽體直徑(注：當(dāng)屏蔽體為矩形時(shí)指最長(zhǎng)邊的尺寸)。

　　Ho：外場(chǎng)強(qiáng)度，單位Oe。

　　μ：材料磁導(dǎo)率。

　　A：衰減量(相對(duì)值)。

　　t：屏蔽體厚度。

　　磁場(chǎng)強(qiáng)度：屏蔽體中磁場(chǎng)強(qiáng)度估算用下面公式：B=2.5dHo/2t(Gs)

　　如用厚度為0.060″的材料制成直徑為1.5″的屏蔽體，在80Gs的磁場(chǎng)中其內(nèi)部磁場(chǎng)為2500Gs。 屏蔽體厚度：用以下公式估算：t=Ad/μ(英寸)

　　如用磁導(dǎo)率為80000的材料制成直徑為1.5″的屏蔽體，當(dāng)要求實(shí)現(xiàn)1000/1的衰減量時(shí)，屏蔽體的厚度為：t=1000×1.5/80000=0.019″

　　屏蔽箱佳晨表示，厚度設(shè)計(jì)還應(yīng)綜合考慮性價(jià)比的因素，一般屏蔽材料的磁導(dǎo)率應(yīng)不低于80000，否則就要增加厚度以達(dá)到同樣的屏蔽效果，則會(huì)導(dǎo)致費(fèi)用的增加。