深圳中科云信息技術(shù)有限公司專(zhuān)業(yè)提供各種高頻板材,為客戶提供好的高頻板材、氮化鎵功率器件、高頻板材等。公司自2018-09-18注冊(cè)成立以來(lái),本著以人為本的原則,堅(jiān)持“”的服務(wù)宗旨,公司業(yè)績(jī)蒸蒸日上。立足廣東省,以市場(chǎng)為導(dǎo)向,想客戶之所想,及客戶之所需。
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延伸拓展
詳情介紹:3.氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Galliumnitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。氮化鎵功率器件系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著MBE技術(shù)在氮化鎵功率器件應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破,成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用氮化鎵功率器件制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MODFET)等新型器件。調(diào)制摻雜的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s)、高的飽和速度(1×107cm/s)、較低的介電常數(shù),是制作微波器件的優(yōu)先材料;GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV)及藍(lán)寶石等材料作襯底,散熱性能好,有利于器件在大功率條件下工作。氮化鎵功率器件系列是一種理想的短波長(zhǎng)發(fā)光器件材料,GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質(zhì)結(jié)GaN藍(lán)色LED之后,InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)超亮度藍(lán)色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問(wèn)世。目前,Zcd和6cd單量子阱GaN藍(lán)色和綠色LED已進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段,從而填補(bǔ)了市場(chǎng)上藍(lán)色LED多年的空白。以發(fā)光效率為標(biāo)志的LED發(fā)展歷程見(jiàn)圖3。藍(lán)色發(fā)光器件在高密度光盤(pán)的信息存取、全光顯示、激光打印機(jī)等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用市場(chǎng)。
   深圳中科云的宗旨是“質(zhì)量?jī)?yōu)先,服務(wù)至上”。我們嚴(yán)密的產(chǎn)品質(zhì)量體系保證了射頻氮化鎵器件、陶瓷濾波器x5903d1n等產(chǎn)品質(zhì)量的高品質(zhì)和穩(wěn)定性。我們擁有設(shè)備先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)室和一支具有豐富經(jīng)驗(yàn)的專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)。在未來(lái),我們來(lái)將繼續(xù)努力,合作共贏、共創(chuàng)美好明天!更多詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官網(wǎng):
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