深圳中科云信息技術(shù)有限公司是一家專業(yè)從事鋁碳化硅、氮化鎵功率放大管x5903d1n的企業(yè),公司自創(chuàng)辦以來(lái),以創(chuàng)新的技術(shù),先進(jìn)的,優(yōu)質(zhì)的服務(wù),贏得了廣大客戶的認(rèn)可。公司的核心價(jià)值觀是:為顧客創(chuàng)造價(jià)值,為員工創(chuàng)造機(jī)會(huì),為社會(huì)創(chuàng)造效益
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延伸拓展
詳情介紹:4.典型的射頻氮化鎵器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié):外延生長(zhǎng)-器件隔離-歐姆接觸(制作源極、漏極)-氮化物鈍化-柵極制作-場(chǎng)板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。采用金屬氧化物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)方式在SiC或Si襯底上外延GaN材料。采用離子注入或者制作臺(tái)階(去除掉溝道層)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)器件隔離。射頻器件之間的隔離是制作射頻電路的基本要求。形成歐姆接觸是指制作源極和漏極的電極。對(duì)GaN材料而言,制造歐姆接觸需要在很高的溫度下完成。在源極和漏極制作完成后,GaN半導(dǎo)體材料需要經(jīng)過(guò)鈍化過(guò)程來(lái)消除懸掛鍵等界面態(tài)。GaN的鈍化過(guò)程通常采用SiN(氮化硅)來(lái)實(shí)現(xiàn)。過(guò)去幾年中,射頻氮化鎵(GaN)市場(chǎng)成長(zhǎng)趨勢(shì)引人注目,根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)在其挺新研究報(bào)告中指出,截至2017年,射頻氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模已近3.8億美元。展望未來(lái),電信和國(guó)防將成為該產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用主流,由于5G網(wǎng)絡(luò)的迅速崛起,自2018年起,電信市場(chǎng)將為氮化鎵組件帶來(lái)巨大的發(fā)展契機(jī)。5G網(wǎng)絡(luò)將推動(dòng)氮化鎵組件市場(chǎng)的發(fā)展。到2023年,射頻氮化鎵器件的市場(chǎng)規(guī)模將大幅擴(kuò)張3.4倍達(dá)13億美元,2017~2023的年復(fù)合平均成長(zhǎng)率CAGR為22.9%。射頻氮化鎵器件技術(shù)獲得業(yè)界認(rèn)可,已成為主流;市場(chǎng)領(lǐng)先者的相關(guān)營(yíng)收正在迅速提升,而且這一趨勢(shì)在未來(lái)數(shù)年中將持續(xù);目前氮化鎵組件的價(jià)格依然較高,近年會(huì)有越來(lái)越多公司加入這個(gè)市場(chǎng),提升供貨數(shù)量,并促成價(jià)格下降。
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