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  半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管[1](LD)。八十年代,人們吸收了半導(dǎo)體物理發(fā)展的最新成果,采用了量子阱(QW)和應(yīng)變量子阱(SL-QW)等新穎性結(jié)構(gòu),引進(jìn)了折射率調(diào)制Bragg發(fā)射器以及增強(qiáng)調(diào)制Bragg發(fā)射器最新技術(shù),同時(shí)還發(fā)展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長技術(shù)新工藝,使得新的外延生長工藝能夠精確地控制晶體生長,達(dá)到原子層厚度的精度,生長出優(yōu)質(zhì)量子阱以及應(yīng)變量子阱材料。于是,制作出的LD,其閾值電流顯著下降,轉(zhuǎn)換效率大幅度提高,輸出功率成倍增長,使用壽命也明顯加長。
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