滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、GCSTD-B介電常數(shù)測(cè)試儀概述
        介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至最低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、GCSTD-B介電常數(shù)測(cè)試儀儀器的技術(shù)指標(biāo)
    1.Q值測(cè)量
          a.Q值測(cè)量范圍:2~1023。
          b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
          c.標(biāo)稱(chēng)誤差
項(xiàng)      目
  GCSTD-B
頻率范圍
  20kHz~10MHz;
 
固有誤差
  ≤5%±滿(mǎn)度值的2%;
 
工作誤差
  ≤7%±滿(mǎn)度值的2%;
 
頻率范圍
  10MHz~60MHz;
 
固有誤差
  ≤6%±滿(mǎn)度值的2%;
 
工作誤差
  ≤8%±滿(mǎn)度值的2%。
 
    2.電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H
 
 
 
 
3.電容測(cè)量:1~ 460
項(xiàng)      目
  GCSTD-B
直接測(cè)量范圍
  1~460pF
 
主電容調(diào)節(jié)范圍
準(zhǔn)確度
  30~500pF
150pF以下±1.5pF;
150pF以上±1%
 
    注:大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則
    4.信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng)        目
  GCSTD-B
頻率范圍
  10kHz~50MHz
 
頻率分段
(虛擬)
  10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
10~60MHz         
 
頻率指示誤差
  3×10-5±1個(gè)字
 
 
    5.Q合格指示預(yù)置功能
          預(yù)置范圍:5~1000。
    6.Q表正常工作條件
          a.  環(huán)境溫度:0℃~+40℃;                                         
          b.相對(duì)濕度:< 80%;   
          c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
    7.其他
          a.消耗功率:約25W;   
          b.凈重:約7kg;   
          c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
    8.產(chǎn)品配置:
          a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái);
          b.電感9只;
          c.夾具一套                                                                 
 
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