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　　由于新材料的應(yīng)用，使得傳感器煥發(fā)了更大的活力。探索新材料、新工藝是現(xiàn)代傳感器的又一發(fā)展方向，隨著各種工程應(yīng)用的需求，傳感器的集成化、微型化與智能化也是當(dāng)代傳感器的發(fā)展方向。隨著工程上“容積率”等概念的廣泛采用，傳感器的集成化、微型化與智能化越顯重要。

　　噪聲。CCD與CMOS圖像傳感器在結(jié)構(gòu)上的不同，使得它的讀出噪聲有很大的差別。CCD中的噪聲主要是在最高帶寬產(chǎn)生的，而CMOS圖像傳感器由于采用的是列并行結(jié)構(gòu)，因此噪聲帶寬是由行讀接帶寬決定的。CCD中噪聲隨視頻頻率的增加而增加，CMOS圖像傳感器的噪聲與視頻頻率無關(guān)。由于CMOS圖像傳感器每個像元都需搭配一個放大器，如果以百萬像素計，那么就需要百萬個以上的放大器。而放大器屬于模擬電路，很難讓每個放大器所得到的結(jié)果保持一致。因此與只有一個放大器放在芯片邊緣的CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器的噪聲就會增加很多，這將會影響到圖像品質(zhì)。

　　在自動控制系統(tǒng)中可作為限位、計數(shù)、定位控制和自動保護(hù)環(huán)節(jié)。接近傳感器具有使用壽命長、工作可靠、重復(fù)定位精度高、無機械磨損、無火花、無噪音、抗振能力強等特點。因此到目前為止，接近傳感器的應(yīng)用范圍日益廣泛，其自身的發(fā)展和創(chuàng)新的速度也是極其迅速。

　　其原理為：給柵極突然加一個VG正脈沖，在光電開關(guān)的金屬電極板上就會充上一些正電荷，電場將P-SI中SIO2界面附近的空穴排斥走，在少數(shù)電子還未移動到此區(qū)時，在SIO2附近出現(xiàn)耗盡層，耗盡區(qū)中的電離物質(zhì)為負(fù)離子，此時半導(dǎo)體表面處于非平衡狀態(tài)，表面區(qū)有表面電動勢，若襯底電位為0，則表面處電子的靜電位能為-qs。

　　力和力矩的基本測量方法及適用場合http://www.kjt-china.com/Info-874.html